Машин Александр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние электрического поля на скорость гидрогенизации графена в индукционно-связанной плазме
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1002–1007
2. Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  773–778
3. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
4. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
5. Структурная модификация фемтосекундным лазерным излучением пленок халькогенидного стекла As$_{50}$S$_{50}$, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы
   
   Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018),  706–712
6. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
7. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 59:5 (2017),  965–971
8. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  363–366
9. Структура и оптические свойства нанокомпозитов серебро/полиакрилонитрил
   
   ЖТФ, 86:11 (2016),  80–85
10. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
11. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
12. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  421–425
13. Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  138–141
14. Диэлектрические свойства нанокомпозитов Ag/ПАН
    
    ЖТФ, 84:7 (2014),  67–71
15. Роль металлических контактов в солнечных элементах на основе диоксида титана и ди-(изотиоцианат)-бис-(2,2'-бипиридил-4,4'-дикарбоксилат)рутения(II)
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  702–704
16. Синхротронные исследования формирования нанокластеров кремния в многослойных наноструктурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1327–1334
17. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  460–465
18. Частотная зависимость проводимости в нанокомпозитах Ag/PAN
    
    ЖТФ, 82:7 (2012),  69–74
19. Исследование морфологии нанокомпозита серебро/полиакрилонитрил
    
    ЖТФ, 81:1 (2011),  95–100
20. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  747–753
21. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  57–61
22. Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1552–1558
23. Электрические и оптические свойства полупроводника $a$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1288–1291