Мустафаева Солмаз Наримановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ab initio расчет структуры и частотные зависимости диэлектрических свойств новых полупроводников TlIn$_{1-x}$Tm$_x$S$_2$ ($x$ = 0.001 и 0.005)
   
   Физика твердого тела, 66:4 (2024),  542–549
2. Ab initio расчет зонной структуры и свойств модификаций соединения Ti$_3$Sb, допированного литием
   
   Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1615–1630
3. Ab initio расчеты электронных свойств, частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и край оптического поглощения монокристаллов TlInS$_2$ $\langle$Sn$\rangle$
   
   Физика твердого тела, 64:6 (2022),  628–638
4. Ab initio расчеты электронных свойств и перенос заряда в Zn$_{1-x}$Cu$_x$O со структурой вюртцита
   
   Физика твердого тела, 64:5 (2022),  528–540
5. Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ на постоянном и переменном токе
   
   Физика твердого тела, 64:4 (2022),  428–436
6. Моделирование структурных и энергетических характеристик атомов в 2D-кристалле GaS с точечными дефектами
   
   Физика твердого тела, 64:1 (2022),  46–59
7. Ab initio моделирование влияния расположения и свойств упорядоченных вакансий на магнитное состояние монослоя графена
   
   Физика твердого тела, 63:5 (2021),  680–689
8. Ab initio расчеты электронных свойств и явления переноса в графеновых материалах
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1975–1981
9. Релаксация тока в монокристаллах TlGa$_{1-x}$Dy$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.01; 0.03)
   
   Физика твердого тела, 62:7 (2020),  1022–1027
10. Влияние химического состава кристаллов TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний
    
    Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2030–2035
11. Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  495–498
12. Зависимость рентгенодозиметрических характеристик монокристаллов AgGaS$_{2x}$Se$_{2-2x}$ от состава
    
    ЖТФ, 88:4 (2018),  561–565
13. Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  167–170
14. Электропроводность и диэлектрические характеристики твердых растворов Tl(GaS$_{2}$)$_{1-x}$(InSe$_{2}$)$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1479–1483
15. Перенос заряда и термо-ЭДС в соединении TlGdS$_{2}$
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1061–1065
16. Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1159–1162
17. Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и проводимости кристаллов Tl$_6$SI$_4$
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1913–1915
18. Диэлектрические свойства монокристалла CuInS$_2$ в переменных электрических полях радиочастотного диапазона
    
    Физика твердого тела, 57:6 (2015),  1079–1083
19. Диэлектрические свойства и перенос заряда в (TlInSe$_2$)$_{0.1}$(TlGaTe$_2$)$_{0.9}$ на постоянном и переменном токе
    
    Физика твердого тела, 56:6 (2014),  1055–1059
20. Модифицирование диэлектрических свойств монокристалла CdIn$_2$S$_4$ при легировании медью
    
    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  279–281
21. Влияние состава кристаллов TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний
    
    Физика твердого тела, 55:12 (2013),  2346–2350
22. Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInS$_2$ и TlGaS$_2$
    
    Физика твердого тела, 54:9 (2012),  1754–1757
23. Диэлектрические характеристики и фазовые переходы в твердых растворах Tl(InS$_2$)$_{1-x}$(FeSe$_2$)$_x$
    
    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  567–570
24. Анизотропия проводимости цепочечного монокристалла TlGaTe$_2$ под гидростатическим давлением
    
    Физика твердого тела, 54:1 (2012),  43–45
25. Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInSe$_2$ и TlGaTe$_2$
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  443–445
26. Рентгенодозиметрические характеристики монокристаллов CdIn$_2$S$_4$ $\langle$Cu$\rangle$
    
    ЖТФ, 81:1 (2011),  144–147
27. Релаксация темнового и фототока в интеркалированных литием монокристаллах TlGaSe$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1127–1129