Гайдар Г П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  975–980
2. Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  751–756
3. Тензосопротивление кристаллов $n$-Ge и $n$-Si при наличии радиационных дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1164–1168
4. Кинетика электронных процессов в $\gamma$-облученных ($^{60}$Co) монокристаллах $n$-Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1171–1175
5. Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  737–739
6. Влияние термоотжига и $\gamma$-облучения на изменение удельного сопротивления $n$-германия в магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2109–2111
7. Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс увлечения в $n$-германии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1137–1139
8. Определение сдвиговой константы деформационного потенциала $\Theta_{u}$ в трансмутационно-легированных кристаллах кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1107–1109
9. Возможность трансмутационного легирования кремния посредством протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  960–962