|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электронно-механический резонанс на глубоких центрах
в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 897–899
-
Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями их поверхности
Физика твердого тела, 29:12 (1987), 3529–3533
-
Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами
железа
Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1335–1336
-
Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями
в высокоомных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2230–2233
-
Внутреннее трение в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$,
имплантированных ионами бора
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 913–915
-
Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках
Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2081–2085
-
Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия
Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2228–2229
© , 2026