RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Рембеза Станислав Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Аморфные пленки тройных оксидов цинка и олова для прозрачной электроники

    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  73–80
  2. Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO$_2$+3% SiO$_2$

    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1273–1277
  3. Влияние оптического излучения на адсорбционные процессы взаимодействия газов-восстановителей с пленкой SnO$_2$

    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  32–39
  4. Синтез многокомпонентных металлооксидных пленок различного состава (SnO$_2$)$_x$(ZnO)$_{1-x}$ ($x$ = 1–0.5)

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1147–1151
  5. Электрические и газосенсорные свойства нанокомпозита на основе SnO$_2$ с многостенными углеродными нанотрубками

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1213–1216
  6. Фотопьезоэлектрическое индуцирование резонансных акустических волн в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1611–1616
  7. Синтез, структура и электрические свойства нанокомпозита (SnO$_2$)$_x$(In$_2$O$_3$)$_{1-x}$ ($x$ = 0.5–1)

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1538–1541
  8. Электрофизические и газочувствительные свойства полупроводниковых наноструктурированных пленок SnO$_2$ : ZrO$_2$

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  612–616
  9. Исследование процессов плавления и кристаллизации ионно-имплантированного сурьмой кремния, подвергнутого действию мощного некогерентного излучения

    ЖТФ, 60:12 (1990),  131–134
  10. Локальное поверхностное плавление ионно-имплантированного кремния

    ЖТФ, 59:11 (1989),  181–183
  11. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899
  12. Управление периодом поверхностного рельефа конденсированных сред

    Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  48–52
  13. Формирование поверхностных периодических структур под действием некогерентного излучения

    Письма в ЖТФ, 15:10 (1989),  55–59
  14. Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости $n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  485–488
  15. Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами железа

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1335–1336
  16. Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями в высокоомных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2230–2233
  17. Внутреннее трение в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами бора

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  913–915
  18. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках

    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2081–2085
  19. Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия

    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2228–2229
  20. Многофононное поглощение света глубокими заряженными примесными центрами

    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2787–2789
  21. Состояние примесных атомов Сr и Со в GaP

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1149–1151

© МИАН, 2026