|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 799–804
-
Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 433–436
-
Формирование межузельного углерода в облученном легированном медью кремнии
Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 728–731
-
Идентификация медных и медь–водородных комплексов в кремнии
Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 239–243
-
Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами
Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 192–194
-
Комментарий к статье Е.А. Татохина, А.В. Каданцева, А.Е. Бормонтова и В.Г. Задорожнего “Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках”
Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 852–854
-
Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1017–1020
-
Влияние отжига на электронно-микроскопическое изображение и спектр
DLTS дислокаций в деформированном кремнии
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 907–910
© , 2026