Якимов Евгений Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире
   
   ЖТФ, 93:3 (2023),  403–408
2. Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  550–553
3. Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  433–436
4. Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  231–234
5. Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  101–103
6. Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  59–64
7. Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  266–271
8. Сравнительное исследование спектральных и структурных характеристик микрокристаллов EuAl$_{3}$(BO$_{3}$)$_{4}$ разной морфологии
   
   Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2396–2402
9. Физические свойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле
   
   ЖТФ, 86:3 (2016),  110–113
10. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  67–73
11. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334
12. Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  763–766
13. Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  758–762
14. Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  741–745
15. Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  737–740
16. Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  732–736
17. Влияние облучения электронами низких энергий на оптические свойства структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  149–154
18. Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  195–198
19. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1597–1603
20. Расчет контраста протяженных дефектов в методе индуцированного рентгеновским пучком тока
    
    Письма в ЖТФ, 38:20 (2012),  1–7
21. Электрические свойства пластически деформированного кремния при взаимодействии с примесью железа
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1175–1178
22. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
23. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  226–229
24. Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1280–1283
25. Изменение свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под воздействием электронного пучка
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1351–1355
26. Исследование теллурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1687–1688
27. Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  922–924
28. Влияние отжига на электронно-микроскопическое изображение и спектр DLTS дислокаций в деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  907–910
29. Влияние водорода на концентрацию центров с глубокими уровнями в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  915–916
30. Электрические свойства суперионного проводника RbAg$_{4}$I$_{5}$, легированного сульфидом серебра
    
    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3672–3673
31. Исследование электрических свойств плотных дислокационных рядов
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1313–1315