Юрова Елена Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs$_{1-x}$P$_{x}$ для изготовления датчиков давления
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1827–1829
2. Исследование флуктуаций удельного сопротивления в $\gamma$-легированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1088–1092
3. Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2035–2038
4. Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1004–1010
5. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  521–524
6. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния II.  Гальваномагнитные свойства и неоднородности
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2052–2060
7. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния I.  Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2042–2051
8. Особенности формирования неоднородности удельного сопротивления нейтронно-легированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  933–937
9. Свойства ядерно-легированного арсенида индия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  822–827
10. О природе формирования неоднородности в InSb
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1585–1588
11. О возможности создания методом нейтронного легирования низкоомных образцовых сопротивлений
    
    Письма в ЖТФ, 11:3 (1985),  129–131