Колин Николай Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  782–785
2. Электронные свойства $p$-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  885–889
3. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  450–456
4. Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN
   
   Физика твердого тела, 53:4 (2011),  633–641
5. Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок $n$-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  461–467
6. Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  136–142
7. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  187–189
8. Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1850–1852
9. Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1025–1030
10. Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  507–509
11. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  521–524
12. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  327–330
13. Свойства ядерно-легированного арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  822–827
14. Свойства арсенида галлия, легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне ядерного реактора
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1558–1565
15. Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1211–1216
16. Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида галлия при отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2187–2192


17. Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1374–1375