Курова Ида Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  367–370
2. Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  440–442
3. Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H, освещенных при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  603–605
4. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках $a$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  757–760
5. Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках $a$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  330–333
6. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1624–1628
7. Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1992–1994
8. О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1726–1731
9. Метастабильные состояния в пленках $a$-Si : H, легированных бором
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  314–317
10. Кинетика эффекта Стеблера$-$Вронского в нелегированных пленках $a$-Si : Н
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2030–2033
11. Аномальный эффект Стеблера$-$Вронского в легированных бором пленках $a$-Si : Н
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  573–575
12. Влияние освещения на проводимость легированных пленок $a$-Si : H
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  943–947
13. О кинетике образования оборванных связей в пленках $a$-Si : Н
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  700–702
14. Фотоэлектрические и оптические свойства пленок $a$-Si : H с имплантированными ионами фосфора и бора
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  818–821
15. ИК фотопроводимость $a$-Si : Н в условиях собственной подсветки
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  44–47
16. Спектральные зависимости фотопроводимости $a$-Si : Н в ИК области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1526–1528
17. О фотопроводимости $a$-Si$-$H в ИК области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1311–1313
18. Фотопроводимость $n$-германия с «отталкивающими» примесными центрами при энергии кванта света, меньшей их термической энергии ионизации
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  549–551