Трегубова А С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  847–851
2. О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  71–77
3. Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок $n$-3C-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  32–37
4. Карбид кремния, облученный высокими дозами нейтронов
   
   Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2217–2221
5. Движение дислокаций в кристаллах карбида кремния, вводимых механическими повреждениями поверхности
   
   Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2311–2315
6. Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 30:9 (1988),  2606–2610
7. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645