Вербицкая Елена Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мегаприборы кремниевой микроэлектроники
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  3–13
2. Собирание заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температуре 40 мК
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  179–186
3. Дрейфовый перенос носителей заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температурах $\le$100 мK
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  415–423
4. Физическое обоснование предела временно́го разрешения кремниевых планарных детекторов длиннопробежных тяжелых ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  333–340
5. Современные кремниевые детекторы для гамма-астрофизики
   
   УФН, 194:4 (2024),  416–431
6. Analysis of $I$–$V$ characteristics of Si diodes irradiated with short-range ions
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1093
7. Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений
   
   Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  971–978
8. Распределение электрического поля в $p$–$n$-переходах кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1282–1289
9. Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми $p$–$n$-переходами кремниевых детекторов излучений
   
   Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  547–553
10. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1962–1970
11. К вопросу о радиационной стойкости планарных детекторов на основе высокоомного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  69–73
12. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов
    
    Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94
13. К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  852–858
14. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
15. Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1394–1399
16. Ударная ионизация в резких $p^{+}{-}n$-переходах при динамической фокусировке электрического поля треком сильно ионизирующей частицы
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1388–1393
17. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
18. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
19. Свойства субмикронных слоев на чистом германии, получаемых ионно-лазерным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  62–67