Горбатюк Андрей Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP
   
   Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  6–8
2. Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  533–539
3. Перераспределение токов и тепловых потерь в реверсивно-включаемом динисторе при наличии поперечного перепада температуры
   
   Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  57–60
4. Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  835–843
5. Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  973–978
6. Имитационное моделирование субмикросекундных режимов работы высоковольтных реверсивно-включаемых динисторов
   
   ЖТФ, 85:8 (2015),  94–99
7. Эффективный способ уменьшения порога управляемого запуска быстродействующих реверсивно-включаемых динисторов
   
   Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  28–35
8. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
9. Теория и моделирование комбинированных механизмов ограничения области безопасной работы полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  373–382
10. Эффекты локализации тока в мощных биполярных переключателях с микрозатворами при неидеальной связи управляемых элементов
    
    ЖТФ, 82:5 (2012),  57–65
11. Переходные характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне
    
    Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  81–88
12. Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1577–1583
13. О возможности увеличения рабочей частоты мощных биполярных переключателей с распределенными микрозатворами
    
    Письма в ЖТФ, 36:20 (2010),  35–42
14. Термогенерационный пробой канала двойной инжекции в полупроводниковой структуре
    
    ЖТФ, 61:6 (1991),  83–92
15. Динамический перегрев реверсивно включаемых динисторов
    
    ЖТФ, 60:5 (1990),  129–135
16. Механизм пространственно-периодического расслоения тока в тиристоре
    
    Письма в ЖТФ, 16:13 (1990),  89–93
17. Пространственно-периодическое разрушение тиристора в режиме динамической перегрузки
    
    Письма в ЖТФ, 15:6 (1989),  42–45
18. О влиянии электродинамических эффектов на однородность коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах большой мощности
    
    ЖТФ, 56:9 (1986),  1860–1861
19. Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1288–1293
20. Мощный переключатель микросекундного диапазона — реверсивно-включаемый динистор
    
    ЖТФ, 53:9 (1983),  1822–1826
21. Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее импульсном инжекционном возбуждении
    
    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1271–1275
22. Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне
    
    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1217–1221
23. Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой тиристор (ИПТ)
    
    Письма в ЖТФ, 9:1 (1983),  18–21