Стефанович Генрих Болеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  443–451
2. Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  650–656
3. Модификация свойств диоксида ванадия методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации
   
   Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  65–71
4. Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au
   
   Письма в ЖТФ, 41:14 (2015),  16–24
5. Гибкая оптическая ячейка с переменным коэффициентом пропускания на основе триоксида вольфрама
   
   Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  7–14
6. Люминесценция пористого кремния при электро- и фотовозбуждении
   
   Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  72–75
7. Анодное окисление высокотемпературного сверхпроводника YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$
   
   Письма в ЖТФ, 16:10 (1990),  68–71
8. Исследование ближнего порядка атомной структуры аморфной двуокиси ванадия
   
   Физика твердого тела, 30:3 (1988),  914–916
9. Проводимость металлической фазы пленок VO$_{2}$ вблизи температуры фазового перехода
   
   ЖТФ, 56:9 (1986),  1845–1849
10. Переключение в МОМ-структурах на основе двуокиси ванадия
    
    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  108–111
11. Фазовый переход металл–полупроводник структурно-разупорядоченной двуокиси ванадия
    
    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  754–757