Воробьева В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1758–1764
2. Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2217–2219
3. Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1026–1030
4. Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  653–659
5. Двойное изовалентное легирование арсенида галлия висмутом и индием
   
   ЖТФ, 59:8 (1989),  164–167
6. Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1699–1701
7. Струтуры с 2 МЭГ в системе InP/InGaAs, полученные методом ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 15:11 (1989),  73–77
8. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344
9. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом
   
   Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
10. Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267
11. Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191
12. Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  224–226
13. К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1394–1399