Филиппов Игорь Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние деформационных напряжений границы раздела Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  517–520
2. Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  748–751
3. Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах в $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  722–725
4. Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  767–770
5. Радиационное изменение времени жизни носителей заряда в дислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  543–545