Евстропов Валерий Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние параметров $p$–$n$-переходов на оптимизацию конструкции контактов в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  8–11
2. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
3. Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  281–285
4. Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  219–222
5. Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1214–1218
6. Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  573–576
7. Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  32–34
8. Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  700–705
9. Влияние дисбаланса фотогенерированных токов на вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  38–41
10. Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26
11. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
12. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
13. Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  29–31
14. Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1568–1572
15. Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  37–39
16. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
17. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
18. Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  682–687
19. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
20. Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок
    
    ЖТФ, 84:6 (2014),  92–97
21. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676
22. Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1074–1081
23. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1568–1576
24. Фотолюминесценция компенсированного SiC-6H
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  969–978
25. Возникновение туннельного тока в структурах металл$-$полупроводник после воздействия лазерного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1774–1779
26. Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1813–1818
27. Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  647–651
28. Интерфейсная люминесценция гетероструктуры $n$-GaAs/$n$-GaAlAs, полученной жидкостной эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1313–1317
29. Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  762–765
30. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040
31. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда $p{-}n$-структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1852–1858
32. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416
33. Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038
34. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  902–912
35. Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  599–606