|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 730–732
-
Многоточечная спектроскопия глубоких уровней
Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2091–2093
-
Исследование параметров, определяющих вольтамперную характеристику
«длинного» диода
Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1950–1953
-
Сублинейность вольтамперных характеристик планарных
$n^{+}{-}n{-}n^{+}$- и $M{-}n{-}n^{+}$-структур на монокристаллах
CdSe и ZnSe
при фотовозбуждении
Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1678–1681
-
Чувствительность продольных инжекционных фотодиодов на основе
монокристаллов CdS к поляризованному излучению
Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1316–1318
-
Биполярная дрейфовая подвижность и эффективный коэффициент диффузии
в компенсированных полупроводниках с двумя глубокими уровнями
Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 940–941
-
Фотоприемник с инжекционным усилением для ультрафиолетовой области
Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 853–856
© , 2026