Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Аккумуляция в $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структурах на основе
A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ при различных длинах волн фотовозбуждения
Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1505–1507
-
Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 730–732
-
Сублинейность вольтамперных характеристик планарных
$n^{+}{-}n{-}n^{+}$- и $M{-}n{-}n^{+}$-структур на монокристаллах
CdSe и ZnSe
при фотовозбуждении
Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1678–1681
-
Чувствительность продольных инжекционных фотодиодов на основе
монокристаллов CdS к поляризованному излучению
Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1316–1318
-
Фотоприемник с инжекционным усилением для ультрафиолетовой области
Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 853–856
© , 2026