Ребане Юрий Тоомасович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
2. Рост скорости рекомбинации Шокли–Рида–Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1714–1719
3. Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  847–855
4. Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких плотностях тока: туннельные токи утечки и неполная латеральная локализация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1107–1116
5. Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  129–136
6. Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока
   
   Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1054–1062
7. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  822–828
8. Классификация линий дислокационной люминесценции в кремнии
   
   Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1513–1521
9. Одномерный дислокационный экситон в кристаллах германия
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2778–2781
10. Расщепление линии дислокационного экситона в кристаллах с неравновесными дислокациями
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2774–2777
11. Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1193–1198
12. Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  726–729
13. Анизотропия линейной поляризации горячей фотолюминесценции в $p$-GaAs
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2650–2657
14. Перестройка энергетических зон полупроводников и диэлектриков в поле мощной слабопоглощающейся световой волны
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1364–1368
15. Потенциалы ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  96–100
16. Правила сумм для сил осцилляторов межподзонных и внутриподзонных переходов свободных дырок в кубических полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1894–1896