Астрова Екатерина Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрохимические характеристики анодов литий-ионных аккумуляторов на основе моноокиси кремния: влияние диспропорционирования и обработки в HF
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  14–17
2. Зависимость электрохимических параметров композитных SiO/C-анодов для литий-ионных аккумуляторов от состава и температуры синтеза
   
   ЖТФ, 92:3 (2022),  421–434
3. Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов
   
   ЖТФ, 91:9 (2021),  1381–1392
4. Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  373–387
5. Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  753–765
6. Импедансная спектроскопия пористых кремниевых и кремний-углеродных анодов, полученных спеканием
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  310–318
7. Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов
   
   Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  14–18
8. Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов, полученные фотоанодированием кремния солнечной градации
   
   ЖТФ, 89:5 (2019),  711–716
9. Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  540–549
10. Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  119–131
11. Электрохимическая аморфизация как метод повышения скоростных характеристик кристаллических кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  16–20
12. Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  29–32
13. Влияние перекиси водорода на фотоанодирование $n$-Si в режиме пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1614–1624
14. Образование макропор в $n$-Si при анодировании в органическом электролите
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  414–430
15. Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1213–1222
16. Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1202–1212
17. Аноды для литий-ионных аккумуляторов на основе $p$-Si с самоорганизующимися макропорами
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  79–88
18. Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  979–986
19. Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  279–286
20. Исследование структуры и состава кремниевых микроструктур, подвергшихся циклическому внедрению и экстракции лития
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  52–61
21. Анизотропный шейпинг макропористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  561–568
22. Трансформация структуры анодов из макропористого кремния в результате процессов циклического литирования
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1288–1294
23. Зигзагообразные структуры, полученные анизотропным травлением макропористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  17–24
24. Технология получения гетеропереходов в решетке двумерного фотонного кристалла на основе макропористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1136–1143
25. Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов на основе пористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  87–94
26. Компактный источник тока на основе воздушно-водородных топливных элементов со свободно-дышащими катодами
    
    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  45–54
27. Формирование полосок двумерного фотонного кристалла путем одновременного фотоэлектрохимического травления щелей и макропор в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1666–1672
28. Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  986–994
29. Портативные влагонезависимые воздушно-водородные топливные элементы с газораспределительной пластиной на основе щелевого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  1–9
30. Воздушно-водородные топливные элементы с двухуровневым щелевым электродом на основе кремния
    
    Письма в ЖТФ, 36:10 (2010),  1–8
31. О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)
    
    Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56
32. Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903
33. Новый способ обработки спектров DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  549–552
34. К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  1–4
35. Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ
    
    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975
36. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125
37. Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  683–686
38. Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1709–1711
39. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1382–1385
40. Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1375–1381
41. Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1273–1276
42. Фотопроводимость кремния, легированного селеном
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  919–922
43. Емкостная спектроскопия глубоких уровней (ГУ) в $n$-Si(Cr)
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  917–919
44. Энергетические уровни селена в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  597–600