Скрышевский В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Транспорт заряда в нанокомпозитных структурах кремний-SiО$_2$, кремний-ТiО$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1370–1376
2. Особенности фотоакустического преобразования в микропористом нанокристаллическом кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 40:5 (2014),  8–14
3. Исследования фотопроводящих и фотодиэлектрических свойств гетероструктур из пленок поли-$N$-эпоксипропилкарбазола и MEH-PPV с добавкой октабутилфталоцианина цинка
   
   ЖТФ, 81:2 (2011),  103–107
4. Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием
   
   Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1387–1393
5. Структуры $a$-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной чувствительности
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2034–2037
6. Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок аморфного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  334–336
7. Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1886–1888
8. Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П структурах при инфракрасной подсветке
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  413–417
9. К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1867–1870
10. Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте металл–гидрогенизированный аморфный кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  661–664
11. О внутреннем квантовом выходе примесной фотопроводимости в полуизолирующем арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  172–174
12. Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1446–1449
13. Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными границами зерен
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  881–884