RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Махний В П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  329–331
  2. Эффект Холла в кристаллах CdTe, легированных Sn из паровой фазы

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1467–1468
  3. Природа голубой полосы излучения в ZnSe с изовалентной примесью S

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1192–1193
  4. Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинка

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  150–151
  5. Механизмы прохождения тока в контактах Au–CdTe с модифицированной поверхностью

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  322–325
  6. Детектор ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO$_2$–ZnSe

    Письма в ЖТФ, 37:8 (2011),  21–25
  7. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев CdTe : Mg

    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1203–1205
  8. Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1140–1141
  9. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов сульфид$-$теллурид кадмия

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  217–221
  10. Полупроводниковый излучатель с повышенной температурной стабильностью

    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  17–21
  11. «Солнечно-слепой» фотодиод на основе гетероструктуры ITO$-$ZnS

    ЖТФ, 60:9 (1990),  146–147
  12. Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1852–1855
  13. Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au$-$ZnS

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1651–1656
  14. Свойства системы сцинтиллятор$-$фотодиод на основе структуры селенид$-$теллурид цинка

    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  702–705
  15. Туннелирование в фосфид-галлиевых диодах Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2087–2090
  16. Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области объемного заряда Au$-$ZnS-диодов

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  619–624
  17. Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1285–1287

© МИАН, 2026