Косяченко Л А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Количественный анализ оптических и рекомбинационных потерь в тонкопленочных солнечных элементах на основе Cu(In,Ga)Se$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  515–524
2. Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn
   
   Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  907–915
3. Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  482–486
4. Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и $\gamma$-излучения на основе CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  389–395
5. Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1323–1330
6. Напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия CdS/CdTe-солнечного элемента
   
   Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1422–1429
7. Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  729–734
8. Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1852–1855
9. Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au$-$ZnS
   
   Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1651–1656
10. Свойства системы сцинтиллятор$-$фотодиод на основе структуры селенид$-$теллурид цинка
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  702–705
11. Туннелирование в фосфид-галлиевых диодах Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2087–2090
12. Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области объемного заряда Au$-$ZnS-диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  619–624
13. Горячая люминесценция кремниевого биполярного транзистора
    
    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1437–1440
14. Излучение света металлом при прямом смещении диода Шоттки
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1185–1186
15. Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1285–1287
16. Механизм электролюминесценции кремниевого $p{-}n$-перехода при обратном смещении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  426–430
17. Влияние одноосной деформации на свойства карбид-кремниевых диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1935–1937