RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ильичев Э А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Каскадный матричный усилитель электронного потока на основе умножителя-концентратора электронов

    Письма в ЖТФ, 49:7 (2023),  43–46
  2. Расчет и оптимизация предельных характеристик одноканального двухспектрального приемника изображений объектов, излучающих в ультрафиолетовом диапазоне

    ЖТФ, 92:9 (2022),  1449–1459
  3. Исследование процессов считывания изображений тепловых объектов приемником, выполненным в архитектуре электронно-оптического преобразователя

    ЖТФ, 92:5 (2022),  649–659
  4. Расчетная модель приемника тепловых изображений в архитектуре электронно-оптического преобразователя

    ЖТФ, 92:4 (2022),  507–519
  5. Алмазные фотокатоды как полевые катоды для вакуумной микроэлектроники

    Письма в ЖТФ, 47:10 (2021),  3–6
  6. Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами

    Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  3–6
  7. Исследование электронной прозрачности графена для малых энергий электрона

    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  94–102
  8. Фотоэмиссионная ячейка матричного приемника вакуумного ультрафиолетового излучения

    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  48–55
  9. Термоинжекционная электрическая неустойчивость в мультибарьерных гетероструктурах. Теоретическая модель и экспериментальные результаты

    ЖТФ, 85:7 (2015),  83–86
  10. Разработка и исследование приемников изображений ультрафиолетового диапазона

    ЖТФ, 85:4 (2015),  74–82
  11. Автоэмиссионные диоды на основе гетеропереходов полупроводник–поликристаллический алмаз

    ЖТФ, 84:10 (2014),  112–116
  12. Способ формирования графеновых пленок

    ЖТФ, 84:7 (2014),  62–66
  13. Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  481–486
  14. Особенности формирования графеновых слоев из аморфных углеродных и кремний-углеродных пленок

    Письма в ЖТФ, 40:2 (2014),  10–15
  15. Использование графена в вакуумной микро- и наноэлектронике

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  25–31
  16. Твердотельный автоэмиссионный диод

    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  46–52
  17. Усилитель электронного потока на кремниевых решетках, покрытых алмазной пленкой

    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  45–51
  18. Маска для формирования микрорисунка на алмазной пленке

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  49–55
  19. Вакуумный эмиссионный триод на основе умножителя-концентратора электронов

    Письма в ЖТФ, 36:20 (2010),  15–20
  20. Каталитический рост наноструктур из углеродосодержащих подложек: свойства и модельные представления

    Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  48–53
  21. Умножитель-концентратор электронов для автоэмиссионной интегральной электроники

    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  44–51
  22. Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  794–800
  23. Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе $\delta$-легированных структур

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1870–1876
  24. Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1667–1670
  25. Влияние свойств барьера Шоттки на частотную дисперсию крутизны полевого транзистора с барьером Шоттки

    Письма в ЖТФ, 17:14 (1991),  78–80
  26. О механизмах паразитного управления по подложке в GaAs ПТШ

    Письма в ЖТФ, 17:14 (1991),  36–38
  27. Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2111–2116
  28. Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  978–981
  29. Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  788–794
  30. Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом

    ЖТФ, 56:11 (1986),  2245–2247
  31. Модуляция ОПЗ в структурах изолятор–полупроводник, полученных в системе GaAs$-$AlAs

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1782–1786
  32. Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1565–1571
  33. Захват носителей в структурах изолятор–полупроводник, полученных МОС гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  757–759
  34. Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  594–602
  35. Полевой транзистор с изолированным затвором

    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  420–422

© МИАН, 2026