Мездрогина Маргарита Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра
   
   ЖТФ, 90:3 (2020),  456–461
2. Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  18–21
3. Рост, структурные, магнитные и магнитооптические свойства пленок ZnO, легированных 3$d$-примесью Fe$^{57}$
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  596–602
4. Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO
   
   ЖТФ, 88:4 (2018),  566–571
5. Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1115–1119
6. Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  588–593
7. Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1325–1332
8. Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm
   
   ЖТФ, 85:9 (2015),  97–104
9. Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1521–1530
10. Интенсивность излучения линии $\lambda$ = 1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Ce, Yb, Er методом диффузии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1016–1023
11. Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm
    
    Физика твердого тела, 55:5 (2013),  962–967
12. Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1204–1209
13. Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  480–489
14. Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4$f$-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO
    
    Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1155–1163
15. Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика твердого тела, 54:1 (2012),  182–188
16. Интенсивность излучения внутрицентровых 4$f$-переходов в пленках $a$-Si : H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  925–936
17. Влияние магнитного поля и температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Eu
    
    Физика твердого тела, 53:8 (2011),  1596–1603
18. Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов
    
    ЖТФ, 81:9 (2011),  77–81
19. Фотолюминесценция нитрозамещенных фталоцианинов европия (III)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1104–1107
20. Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  445–451
21. Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в структурах на основе III-нитридов, легированных редкоземельными элементами (Eu, Er, Sm)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  338–345
22. Параметры фотопреобразователей на основе пленок аморфного гидрированного кремния, полученного в тетродной системе
    
    ЖТФ, 62:1 (1992),  108–112
23. Структурная сетка $\alpha$-Si : H, легированного бором, и транспорт дырок
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  960–962
24. Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного кремния, легированного бором
    
    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  66–70
25. Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1448–1450
26. Удельные сдвиги носителей тока и плотность состояний аморфного гидрированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  551–553
27. Исследование фотопроводимости аморфного гидрированного кремния методом видикона
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  170–171
28. Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  102–105
29. Механизм возникновения аномальной спектральной зависимости оптического поглощения в аморфном кремнии
    
    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1515–1517
30. Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1190–1193
31. Фоточувствительность $p{-}i{-}n$ структур и структур с барьером Шоттки на основе $a$-Si : H в области УФ излучения
    
    Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  47–50
32. Эффект псевдолегирования аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1737–1740
33. Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1552–1555
34. Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  450–455
35. Мишени видикона на основе аморфного гидрированного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 15:4 (1989),  85–87
36. Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1856–1859
37. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  461–464
38. Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  161–164
39. О легировании аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1464–1466
40. Мёссбауэровское исследование примесных атомов железа в аморфном кремнии
    
    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2543–2546
41. Плотность состояний гидрированного аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1912–1914
42. О влиянии температурного отжига на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  28–31
43. Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1897–1899
44. О природе темновых токов в структурах с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  373–376
45. О механизме проводимости аморфного кремния при гидрировании
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1255–1258