Насрединов Фарит Сабирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Симметрия локального окружения атомов германия в аморфных пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  11–13
2. Мёссбауэровское исследование примесных атомов цинка в галогенидах щелочных металлов и меди
   
   Физика твердого тела, 66:1 (2024),  51–55
3. Исследование галогенидов натрия и меди методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе $^{67}$Zn
   
   Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  43–46
4. Локальная структура аморфных пленок (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)
   
   ЖТФ, 92:11 (2022),  1678–1686
5. Природа локального окружения атомов германия в аморфных пленках (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)
   
   Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  11–14
6. Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  3–8
7. Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди антиферромагнитных соединений, аналогов сверхпроводящих металлооксидов меди
   
   Физика твердого тела, 62:3 (2020),  381–385
8. Локальная структура аморфных и кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  19–21
9. Изменение состояния примесных атомов $^{119m}$Sn в PbTe в процессе установления радиоактивного равновесия изотопов $^{119m}$Te/$^{119}$Sb
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  640–644
10. Температурная зависимость атомной структуры и электрической активности дефектов в термоэлектрике ZnSb, слабо легированном медью
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1168–1175
11. Оптимальный рабочий диапазон температур и оценка срока службы термоэлектрика ZnSb:0.1 ат% Cu
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1055–1059
12. Тензор кристаллического ГЭП в узлах меди решеток RBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$. Коэффициент Штернхеймера для центров Cu$^{2+}$
    
    Физика твердого тела, 34:10 (1992),  3269–3273
13. Параметры тензора кристаллического ГЭП в узлах меди решеток YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
    
    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2294–2297
14. Параметры тензора ГЭП в узлах меди решетки La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1313–1316
15. Сравнение экспериментальных и расчетных значений параметров тензора ГЭП для примесных атомов железа в окиси меди
    
    Физика твердого тела, 33:9 (1991),  2699–2704
16. Параметры тензора ГЭП в узлах меди и бария решетки La$_{1.9}$Ba$_{0.1}$CuO$_{4}$, определенные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1912–1915
17. Параметры тензора градиента электрического поля в узлах бария для YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, определенные методом мессбауэровской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3430–3433
18. Определение параметров тензора ГЭП в узлах меди в Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8}$ и YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ методом мессбауэровской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2306–2310
19. Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1552–1555
20. Дефектные полупроводники Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$, легированные железом
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1083–1087
21. Механизм двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами олова в твердых растворах PbS$_{1-x}$Se$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1848–1851
22. Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1856–1859
23. Двухэлектронные центры олова в In$_{2}$S$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1144–1146
24. Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  161–164
25. Мёссбауэровское исследование примесных атомов железа в аморфном кремнии
    
    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2543–2546
26. Природа электрической неактивности примесных атомов железа в полупроводнике In$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1166–1173
27. Двухэлектронный обмен между центрами олова в твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  862–866
28. Электронный обмен между ионизованными и нейтральными центрами железа в модифицированном железом аморфном селениде германия
    
    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1528–1530
29. Электрические свойства аморфных пленок сплавов кремний–германий
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1871–1873
30. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка, модифицированного железом
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  353–355