Воронков Владимир Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  540–549
2. Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода
   
   Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  29–32
3. Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1213–1222
4. Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1202–1212
5. Аноды для литий-ионных аккумуляторов на основе $p$-Si с самоорганизующимися макропорами
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  79–88
6. О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном протонами
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1507–1509
7. О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)
   
   Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56
8. Контроль объемного времени жизни и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в полупроводниках методом инфракрасного лазерного зондирования
   
   ЖТФ, 61:2 (1991),  104–108
9. Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  208–216
10. Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1213–1215
11. К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды
    
    Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  61–65
12. Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)
    
    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  6–9
13. К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  1–4
14. Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  753–756
15. Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)
    
    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  59–63
16. Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых $p{-}n$ диодах с примесью лития
    
    ЖТФ, 58:7 (1988),  1436–1439
17. Пассивирующие свойства оксидов кремния, нанесенных на поверхность кремниевых высоковольтных $p{-}n$ переходов методом катодно-реактивного распыления
    
    ЖТФ, 58:1 (1988),  132–135
18. Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ
    
    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975
19. Оптимизация частотных и статических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной рекомбинации в базовых областях
    
    ЖТФ, 57:10 (1987),  1925–1929
20. О возможности изготовления низкоомного нейтронно-легированного кремния на реакторе РБМК-1000
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1127–1129
21. Об энергетических уровнях дивакансии в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  140–144
22. Нейтронно-легированный высокоомный кремний (НЛК) Получение, свойства
    
    ЖТФ, 56:6 (1986),  1174–1179
23. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125
24. О природе рекомбинационных центров в $p$-кремнии, облученном $\gamma$-квантами
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1100–1102
25. Сильноточный микросекундный тиристорный коммутатор, переключаемый импульсом света
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1570–1575
26. Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1709–1711
27. Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928
28. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского
    
    ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208
29. Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882
30. Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1344–1347