Нам Б П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обменная жесткость и постоянная неоднородного обмена в пленках Ga, Sc-замещенного железо-иттриевого граната
   
   Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1376–1383
2. Механизмы переключения ячеек магнитооптического управляемого транспаранта с повышенной коэрцитивностью
   
   ЖТФ, 61:4 (1991),  205–207
3. Амплитудно-фазовые характеристики МСВ линии при высоких уровнях сигнала
   
   ЖТФ, 61:1 (1991),  118–123
4. Дисперсия поверхностных магнитостатических волн в двухслойных ферритовых пленках
   
   ЖТФ, 59:12 (1989),  115–117
5. Ионная имплантация пленок железоиттриевого граната и ее влияние на распространение поверхностных магнитостатических волн
   
   ЖТФ, 59:3 (1989),  70–77
6. Влияние диффузионного отжига на свойствах пленок (Y, Lu, Рr, Вi)$_{3}$(Fe,Ga)$_{5}$O$_{12}$ с ромбической анизотропией
   
   Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  79–83
7. Магнитооптические пленки феррит$-$гранатов для быстродействующих
   
   Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  42–44
8. Магнитостатические волны высокочастотного ($\gtrsim 40$ МГц) диапазона в Ga, Sc — замещенных пленках ЖИГ
   
   Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1733–1737
9. Фокусирующие линзы поверхностных магнитостатических волн
   
   Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1067–1070
10. Перестройка доменной структуры эпитаксиальной пленки Y$_{3}$Fe$_{5-x}$Si$_{x}$O$_{12}$ под влиянием неполяризованного света
    
    ЖТФ, 56:5 (1986),  964–965
11. Температурные зависимости затухания магнитостатических волн
    
    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  534–536
12. Электронное уширение линий ФМР в тонкопленочной структуре феррит–полупроводник
    
    ЖТФ, 53:9 (1983),  1864–1865