RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Клячкин Леонид Ефимович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1432–1436
  2. Андреевские генераторы терагерцевого излучения

    Физика твердого тела, 66:11 (2024),  2052–2058
  3. Экспресс диагностика олигонуклеотидов ДНК

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1597–1602
  4. Макроскопические квантовые явления в условиях осаждения олигонуклеотидов ДНК в краевые каналы кремниевой наносандвич-структуры

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1588–1596
  5. Управление процессом оксигенации крови под действием THz-излучения

    ЖТФ, 94:9 (2024),  1583–1587
  6. Использование терагерцевого излучения для ослабления последствий воздействия радиации

    ЖТФ, 92:7 (2022),  1087–1094
  7. Магнитные свойства краевых каналов кремниевых наносандвич-структур с осажденными олигонуклеотидами ДНК

    ЖТФ, 92:7 (2022),  963–967
  8. Терапия ковидных осложнений с помощью терагерцевого излучения

    ЖТФ, 92:7 (2022),  943–950
  9. Терагерцевая экспресс-диагностика осложнений, вызванных COVID-19

    ЖТФ, 92:7 (2022),  939–942
  10. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
  11. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
  12. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
  13. Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей

    ЖТФ, 90:10 (2020),  1663–1671
  14. Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине

    ЖТФ, 90:9 (2020),  1502–1505
  15. Dielectric properties of oligonucleotides on the surface of Si nanosandwich structures

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  512
  16. High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473
  17. Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1353–1357
  18. Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1230–1237
  19. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054
  20. Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime

    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484
  21. Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах

    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1258–1261
  22. DNA detection by THz pumping

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  966–970
  23. Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  663–671
  24. Оптически-детектируемый циклотронный резонанс в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности кремния (100)

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1646–1653
  25. Биосенсоры на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1549–1554
  26. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в наноструктурах на основе 6H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1503–1516
  27. Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1530–1535
  28. Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах

    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  503–509
  29. Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором (Обзор)

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  289–303
  30. Эффект де Гааза-ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  90–95
  31. Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  77–89
  32. Осцилляции Шубникова–де-Гааза и де-Гааза–ван Альфена в кремниевых наноструктурах

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1503–1508
  33. Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1372–1381
  34. Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1004–1007
  35. Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1613–1617
  36. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654
  37. Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе

    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  42–46
  38. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573
  39. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562
  40. Четный магнитный фотоэффект в структурах с $p{-}n$-переходом цилиндрической формы

    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  485–487
  41. Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух — SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной области 550$-$950 нм

    ЖТФ, 57:4 (1987),  823–826
  42. Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии

    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1025–1029
  43. Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 2}$) на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2191–2195
  44. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
  45. Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$

    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  675–679
  46. Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра

    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  354–358
  47. Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний» (ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2232
  48. Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1648–1651

© МИАН, 2026