Вольфсон А А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2298–2302
2. Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1593–1596
3. Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1104–1106
4. Зависимость скорости роста слоя AlN от величины зазора между источником и подложкой при сублимационном методе выращивания
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1570–1572
5. Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1576–1578
6. Зависимость скорости роста слоя AlN от давления азота в реакторе для выращивания кристаллов AlN методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1430–1432
7. Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  107–110
8. Инжекционно-пролетная структура на основе карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  43–46
9. Катодоусиление в p${-}$n переходах на карбиде кремния
   
   ЖТФ, 57:12 (1987),  2405–2407
10. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645
11. Катодоусиление в барьерах Шоттки на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1464–1468