RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Карандашев Сергей Аркадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами

    ЖТФ, 96:1 (2026),  112–121
  2. Инфракрасный сенсор углекислого газа на основе свето- и фотодиодов из твердых растворов InAsSb(P)

    Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1168–1171
  3. К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  42–52
  4. Микрооптопара ($\lambda$ = 3.4 $\mu$m) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО

    Оптика и спектроскопия, 130:8 (2022),  1223–1228
  5. Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения

    Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197
  6. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  147–157
  7. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m

    ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
  8. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
  9. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
  10. Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)

    ЖТФ, 84:11 (2014),  52–57
  11. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
  12. Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  45–52
  13. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
  14. Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  258–261
  15. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  85–90
  16. Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  554–559
  17. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
  18. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
  19. Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых растворов InAsSbP и InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  592–596
  20. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
  21. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
  22. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
  23. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
  24. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
  25. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$

    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
  26. Структура металл–полупроводник на основе $p$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  991–996

© МИАН, 2026