|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Теплопроводность аморфной и нанокристаллической фаз нанокомпозита биоуглерода дерева бука
Физика твердого тела, 56:11 (2014), 2269–2273
-
Теплопроводность при фазовом переходе аморфное-нанокристаллическое состояние в биоуглероде дерева бука
Физика твердого тела, 56:5 (2014), 1030–1038
-
Теплопроводность и удельное электросопротивление объемного индия и индия, наноструктурированного в каналах пористого боросиликатного стекла
Физика твердого тела, 55:9 (2013), 1671–1676
-
Теплоемкость био-SiC и экокерамики SiC/Si, приготовленных на основе дерева белого эвкалипта, бука и сапели
Физика твердого тела, 55:2 (2013), 409–414
-
Термоэдс био-SiC и экокерамики SiC/Si, приготовленных на основе дерева сапели
Физика твердого тела, 55:1 (2013), 44–49
-
Электросопротивление и теплопроводность экокерамики SiC/Si, приготовленной на основе биоуглерода дерева сапели
Физика твердого тела, 54:10 (2012), 2003–2011
-
Теплопроводность высокопористого сильнолегированного биоморфного карбида кремния, приготовленного на основе биоуглерода дерева сапели
Физика твердого тела, 54:8 (2012), 1623–1629
-
Определение температуры Нееля из измерений теплопроводности антиферромагнетика Сo$_3$О$_4$, наноструктурированного в каналах пористого стекла
Физика твердого тела, 54:5 (2012), 1000–1003
-
Структура, удельное электросопротивление и теплопроводность биоуглерода дерева бука, полученного при температуре карбонизации ниже 1000$^\circ$C
Физика твердого тела, 53:11 (2011), 2278–2286
-
Термоэдс биоуглерода бука
Физика твердого тела, 53:11 (2011), 2133–2137
-
Теплоемкость и длина свободного пробега фононов в биоуглеродной матрице бука
Физика твердого тела, 53:8 (2011), 1658–1662
-
Теплоемкость и теплопроводность нанокомпозита хризотиловый асбест–KDP (KH$_2$PO$_4$)
Физика твердого тела, 53:5 (2011), 1033–1036
-
Электрические и тепловые свойства YbH$_{x}$ (${2\leqslant x\leqslant 2.7}$)
Физика твердого тела, 34:2 (1992), 525–535
-
Исследование монокристаллов Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S методом дифференциальной сканирующей калориметрии
Физика твердого тела, 34:1 (1992), 119–123
-
Эффект Холла в TmS
Физика твердого тела, 33:12 (1991), 3606–3609
-
Фазовый переход в системе Sm$_{x}$Gd$_{1-x}$S: рентгеноспектральное и теоретическое исследование
Физика твердого тела, 33:8 (1991), 2487–2489
-
Температурные зависимости модулей упругости, поглощения ультразвука и теплового расширения в монокристаллах Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S
Физика твердого тела, 33:8 (1991), 2350–2356
-
Исследование теплопроводности, электропроводности и термоэдс систем BiSrCaCu$_{2}$O$_{x}$ и Bi$_{1.82}$Sr$_{1.73}$Ca$_{1.25}$Cu$_{2.2}$O$_{x}$
Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1762–1766
-
Сверхпроводящее кольцо с незатухающим кольцевым током, включенное в токовую цепь
Физика твердого тела, 33:5 (1991), 1613–1615
-
Влияние высокого давления на электрические свойства гексаборидов европия и иттербия
Физика твердого тела, 33:4 (1991), 1271–1276
-
Tm$_{x}$S ($0.9<x<1.11$) — новая концентрированная кондо-система
Физика твердого тела, 32:8 (1990), 2354–2362
-
Исследование валентного состояния ионов церия и празеодима в твердых растворах Pr$_{1-x}$Ce$_{x}$O$_{2}$
Физика твердого тела, 32:6 (1990), 1868–1870
-
Электросопротивление и термоэдс YbS при гидростатическом давлении до 9 ГПа
Физика твердого тела, 32:4 (1990), 1128–1132
-
Исследование электросопротивления и термоэдс гексаборида самария под давлением до 11 ГПа
Физика твердого тела, 31:9 (1989), 197–200
-
Исследование диффузионных процессов в системе Y$_{2}$O$_{3}{-}$CuO
Физика твердого тела, 31:6 (1989), 279–281
-
Термоэдс и электросопротивление монохалькогенидов самария при сверхвысоком давлении
Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3105–3110
-
Переход EuO в металлическое состояние при всестороннем сжатии до 10 ГПа
Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1106–1110
-
Особенности фазового перехода полупроводник–металл при одноосном сжатии монокристаллов Sm$_{0.86}$Gd$_{0.14}$S
Физика твердого тела, 29:12 (1987), 3683–3685
-
Исследование электросопротивления и термоэдс монотеллурида самария в диапазоне давлений до 12 ГПа
Физика твердого тела, 29:9 (1987), 2616–2622
-
Термоэдс SmS в состоянии с переменной валентностью под давлением до 12 ГПа
Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3232–3235
-
Поведение термоэдс и электросопротивления SmSe под давлением до 12 ГПа
Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2135–2139
-
Пьезосопротивление моносульфида самария при криогенных температурах
Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2162–2165
-
Дисперсия электрооптического коэффициента и фотохромизм Dy$_{2}$S$_{3}$
Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1132–1136
-
Электрические свойства металлической фазы SmS, устойчивой при атмосферном давлении
Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1121–1123
-
Влияние давления на подвижность носителей тока в SmS
Физика твердого тела, 27:1 (1985), 77–82
-
Теплопроводность твердых растворов иттрий-алюминиевого и редкоземельно-алюминиевых гранатов
Физика твердого тела, 26:9 (1984), 2710–2715
-
Исследование электропроводности и эффекта Холла в монохалькогенидах самария при одноосном сжатии
Физика твердого тела, 26:2 (1984), 402–408
-
Рентгеноспектральное исследование энергетической зонной структуры моносульфидов РЗМ
Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3188–3190
-
Влияние давления на гальваномагнитные свойства SmB$_{6}$, Sm$_{x}$B$_{6}$
Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2579–2582
-
Электрические свойства полупроводникового SmS в сильных электрических полях
Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1551–1553
-
Влияние высокого гидростатического давления на поведение кристаллов SmS при деформировании
Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1328–1333
-
Исследование дефектной структуры межфазной границы металл–полупроводинк в SmS методом высоковольтной электронной микроскопии
Физика твердого тела, 25:2 (1983), 541–546
-
Пьезосопротивление моноселенида самария
Физика твердого тела, 25:1 (1983), 151–156
-
Модель гальваномагнитных явлений в полупроводниковом SmS при низких температурах
Физика твердого тела, 25:1 (1983), 100–103
-
Фазовый переход полупроводник – металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария)
УФН, 124:2 (1978), 241–279
-
Редкоземельные полупроводники
УФН, 120:4 (1976), 708–709
© , 2026