Гурошев В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  82–87
2. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1363–1366
3. Индуцированная радиационно-термическим воздействием полоса люминесценции с ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ эВ в $p$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1659–1663
4. Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК эпитаксиальных слоев $p$-GaAs(Si)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1874–1877
5. Взаимодействие радиационных дефектов с атомами хрома в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  567–569
6. Изменение положения максимума и полуширины полосы люминесценции, обусловленной излучательной рекомбинацией в комплексах $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ при электронном облучении GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1326–1328
7. Увеличение концентрации центров тушения люминесценции при отжиге облученных электронами кристаллов арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1163–1164