Смагулова Светлана Афанасьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Углеродные точки на основе трикарбоновых кислот и этилендиамина для органических светоизлучающих диодов
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:7 (2025),  419–426
2. Исследование свойств двумерных пленок МоS$_{2}$ и WS$_{2}$, синтезированных химическим газофазным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  376–387
3. Пленки оксида графена, напечатанные на твердых и гибких подложках, для широкого спектра приложений
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1086–1094
4. Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов $2D$ полосы рамановского спектра двухслойного графена
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  834–838
5. Зарядовая спектроскопия слоев SiO$_2$ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  591–595
6. Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1137–1139
7. Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа, легированного магнием
   
   Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  684–687
8. Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии $n$-типа от температуры облучения электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  573–575
9. Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  561–564
10. О параметрах разупорядоченных областей в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2073–2074
11. Накопление точечных дефектов в кремнии, содержащем трансформированные отжигом разупорядоченные области
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  952–955
12. Количественные оценки параметров образования основных радиационных дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2177–2181
13. О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования в кремнии $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1663–1666
14. Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1155–1157
15. К вопросу о методике обработки спектров DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  162–164
16. Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей в кремнии $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  30–34