RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Семенюк А К

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем $E_{c}{-}0.2$ эВ в $n$-Si при одноосной деформации

    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2056–2057
  2. Пьезосопротивление облученного $n$-Si со слоистым распределением примеси

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  545–547
  3. Влияние одноосной деформации на энергию ионизации $A$-центра в $n$-Si

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1331–1333
  4. Влияние одноосных деформаций на положение глубокого уровня золота в $n$-Ge

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  540–542


© МИАН, 2026