Штельмах Константин Фёдорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  289–294
2. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  904–907
3. Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  542–545
4. Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  928–931
5. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
6. Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1182–1184
7. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
   
   Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
8. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
9. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
10. Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1700–1703
11. Структура примесного центра марганца в антимониде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  89–94
12. ЭПР аксиального центра иттербия в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1375–1380
13. О состоянии европия в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1584–1588
14. Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия, легированного европием
    
    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1482–1485
15. Макроскопические квантовые эффекты в монокристаллах сверхпроводника Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$
    
    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  112–115
16. Свойства сильно легированных кристаллов InP$\langle\text{Yb}\rangle$ и InP$\langle\text{Er}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2229–2231
17. О состоянии примеси европия в дефектных соединениях А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$ по данным ЭПР и эффекта Мессбауэра
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1307–1309
18. ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1305–1307
19. ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  654–656
20. Квантовые свойства электромагнитного эффекта в керамиках типа Y$-$Ba$-$Cu$-$O (1 : 2 : 3)
    
    Письма в ЖТФ, 14:14 (1988),  1277–1280
21. Электронный парамагнитный резонанс Er$^{3+}$ в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  365–366
22. ЭПР и спин-решеточная релаксация ионизованного центра марганца в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  543–545
23. Идентификация пары Mn$-$S в арсениде галлия методом ЭПР
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2093–2095
24. Состояния типа « спинового стекла» в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1867–1869
25. ЭПР фосфида индия, легированного европием
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1841–1843
26. ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра Fe ($3d^{8}$) в GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  632–635
27. ЭПР тригонального комплекса Mn$-$Se в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  755–757
28. Парамагнитный резонанс и релаксация трехвалентного иттербия в фосфиде индия
    
    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1435–1438
29. О состоянии центров никеля в GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2205–2208
30. Исследование дефектов структуры в системе GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1259–1264
31. ЭПР и парамагнитная релаксация гадолиния в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  948–950