Талалаев Вадим Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21
2. Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  332–337
3. Оптические свойства нановискеров Cu$_2$O
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1075–1081
4. Кинетика излучения поверхностных (би) экситонов в тонких пленках ZnO
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  533–538
5. Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием
   
   Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77
6. Температурное тушение спонтанного излучения в туннельно-инжекционных наноструктурах
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1531–1539
7. Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1209–1216
8. Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния
   
   Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43
9. Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1462–1466
10. Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360
11. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
12. Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1084–1092
13. Особенности температурной зависимости интегрального коэффициента экситонного поглощения в кристаллах CdS
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1931–1934