Шуман Валентина Борисовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрически неактивная примесь магния в кремнии
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  797–799
2. Взаимодействие Mg с кислородом и углеродом в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  75–77
3. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
4. Растворимость магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  858–861
5. Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  500
6. Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  299–303
7. Исследование примеси магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  321–326
8. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
9. Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  799–804
10. Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  314–316
11. Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1075–1077
12. О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834
13. Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  5–7
14. Образование “квазимолекул” S$_2$ в кремнии, легированном серой
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  433–434
15. Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  428–431
16. Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  211–215
17. О растворимости серы в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  993–994
18. Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  607–611
19. Лавинный пробой при больших плотностях тока
    
    ЖТФ, 57:9 (1987),  1843–1845
20. Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  532–534
21. Некоторые технологические аспекты диффузии серы в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  227–229
22. К вопросу о повышении быстродействия диодов
    
    Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1424–1426
23. Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  474–478