Зубрилов Андрей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
2. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
3. Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока
   
   Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1054–1062
4. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  822–828
5. О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  71–77
6. Влияние примесного состава $n$-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при $\gamma$-облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1332–1338
7. Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  479–486
8. Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  607–611
9. Лавинный пробой при больших плотностях тока
   
   ЖТФ, 57:9 (1987),  1843–1845
10. Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  532–534
11. Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  474–478