Брудный В Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Твердые растворы In$_{x}$Al$_{1-x}$N: проблемы стабильности состава
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1733–1739
2. Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe
   
   Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1693–1697
3. Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике $\varepsilon$-GaSe
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1351–1354
4. Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  782–785
5. Электронные свойства $p$-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  885–889
6. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  450–456
7. Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN
   
   Физика твердого тела, 53:4 (2011),  633–641
8. Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок $n$-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  461–467
9. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением
   
   Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1194–1202
10. Образование центров E10 (${E_{c}-0.62}$ эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме $n$-InP при электронном и $\gamma$-облучениях
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  890–892
11. Накопление E3-центров в $n$-GaAs при $\gamma$-облучении в интервале температур ${77\div580}$ K
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1124–1126
12. Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  511–514
13. « Предельные» электрические параметры GaP, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  747–749
14. Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами $\alpha$-SiC (6$H$)
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1452–1456
15. Электрическте свойства твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}{-}$A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$, облученных ионами H$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1347–1348


16. Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1374–1375