Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние гидростатического давления на характеристики диодов
с барьером Шоттки
Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 554–556
-
Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект
дальнодействия при ионной имплантации
Письма в ЖТФ, 15:22 (1989), 44–47
-
Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн
при распространении в кристалле с кластерами дефектов
Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 273–276
-
О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов
в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1495–1497
-
Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке,
на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 503–507
-
Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке
за пределами области пробега ионов
Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 464–468
© , 2026