Романов Олег Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение плотности состояний в разрешенных зонах антимонида индия и сульфида свинца
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  954–957
2. Стадии формирования границы раздела кремния с термическим окислом
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  477–480
3. Комплексный эффект поля на поверхности твердых растворов группы GaP$_{x}$As$_{1-x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1408–1412
4. Эффект поля на поверхности полуметалла HgTe и полупроводника Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1064–1068
5. Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое
   
   Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  393–397
6. Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  818–823
7. Граница раздела сверхтонкий собственный окисел–полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  398–401
8. МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области инверсионных напряжений
   
   Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1247–1250