Андреев Игорь Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мостиковые InAs/InAsSbP-фотодиоды: особенности технологии создания
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  505–509
2. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
3. Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515
4. Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010
5. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
6. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
7. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
8. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
9. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
10. Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод
    
    ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318
11. Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1196–1201
12. Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424
13. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
14. Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006
15. Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115
16. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042
17. Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695
18. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
19. Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  535–539
20. Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  251–255
21. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
22. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
23. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705
24. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49
25. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3$-$5 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  50–53
26. Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1429–1436
27. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32
28. Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6$-$2.4 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  71–76
29. Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19
30. Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GaInAsSb/GaAlAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  986–991
31. Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393
32. Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  481–485
33. Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315
34. Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611
35. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547
36. Новый пьезоэлектрик « лангасит» La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$ — материал с нулевым температурным коэффициентом частоты упругих колебаний
    
    Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  487–491
37. Слабая температурная зависимость упругих податливостей s$_{11}$ и s$_{44}$ кристалла Ba$_{0.39}$Sr$_{0.61}$Nb$_{2}$O$_{6}$ вблизи 20$^{\circ}$C
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1632–1635


38. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476