Кардо-Сысоев Алексей Федорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  326–332
2. Исследование соотношения активных и реактивных потерь в дрейфовых диодах с резким восстановлением в зависимости от их режима работы
   
   Письма в ЖТФ, 49:24 (2023),  6–10
3. Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов
   
   Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  57–63
4. Влияние накопления неосновных носителей в $p^{+}$-слое на процесс восстановления напряжения на $p^{+}{-}n$-переходе
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1048–1053
5. Ударная ионизация в кремнии в слабых полях
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  885–892
6. Нестационарные процессы двойной инжекции и рассасывания плазмы в полупроводниковой $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  3–11
7. Быстродействующие динисторы, изготовленные с применением прямого сращивания полупроводниковых пластин
   
   Письма в ЖТФ, 17:19 (1991),  51–54
8. Ударная ионизация глубокого уровня Au в Si
   
   Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  63–67
9. Эффект быстрого восстановления обратного напряжения на симметричной $p^{+}pnn^{+}$-структуре
   
   ЖТФ, 58:11 (1988),  2244–2247
10. Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1747–1753
11. Нестационарные процессы накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в полупроводниках в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  620–625
12. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093
13. Быстрые ионизационные волны в полупроводнике, связанные с переизлучением
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1335–1337
14. Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1281–1285
15. Полупроводниковые мощные субнаносекундные коммутаторы с большим временем удержания в проводящем состоянии
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  901–904
16. Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1380–1385
17. Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  435–439