RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Лантратов Владимир Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок

    ЖТФ, 84:6 (2014),  92–97
  2. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676
  3. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)

    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
  4. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
  5. Picosecond internal $Q$-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  383–385
  6. Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1074–1081
  7. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
  8. Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1649–1654
  9. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1568–1576
  10. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1118–1123
  11. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
  12. Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением

    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1194–1199
  13. Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах

    Письма в ЖТФ, 13:24 (1987),  1481–1485
  14. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия

    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
  15. Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1262–1270
  16. Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  435–439
  17. Поведение AlGaAs гетерофотоэлементов при низких уровнях освещения (10$^{-1}$–10$^{-3}$ Вт/см$^{2}$) в диапазоне температур 173–373 K

    ЖТФ, 55:10 (1985),  2004–2009
  18. Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1589–1596
  19. Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  276–281
  20. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$ перехода

    ЖТФ, 53:8 (1983),  1658–1660
  21. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2168–2172

© МИАН, 2026