|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Высокотемпературная диффузия марганца в кремний КДБ-3: формирование фаз Mn$_5$Si$_3$ и B$_6$Si, морфология и электрофизические свойства
Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 601–607
-
Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний
Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1648–1655
-
Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge$_x$Si$_{1-x}$, полученных диффузионной технологией
Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 495–497
-
Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами
Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022), 438–440
-
Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии
Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 199–203
-
Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца
Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 489–492
-
Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца
Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 12–15
-
Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии
Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1536–1539
-
Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных
атомов и степень компенсации образцов Si$\langle\text{Zn}\rangle$
Письма в ЖТФ, 17:12 (1991), 1–4
-
Динамический хаос и гистерезис автоколебаний
в Si$\langle$Mn$\rangle$, обусловленные температурно-электрической
неустойчивостью
Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1400–1403
-
Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЭН
в кремнии, легированном марганцем
Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1561–1564
-
Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость
в кремнии, легированном марганцем
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 423–426
-
Низкочастотные колебания тока с большой амплитудой в компенсированном
марганцем кремнии
Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2220–2222
© , 2026