Бахадырханов М К

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние никеля на время жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  128–133
2. Геттерирующие свойства никеля в кремниевых фотоэлементах
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1685–1688
3. Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1678–1684
4. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  981–986
5. Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  489–492
6. Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков
   
   Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  7–11
7. Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца
   
   Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  12–15
8. Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  37–40
9. Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов
   
   ЖТФ, 89:3 (2019),  421–425
10. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$–$n$-переходом
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  3–6
11. ИК фотоприемники, работающие при наличии фонового освещения
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  140–142
12. Аномально большое время жизни дырок в кремнии c нанокластерами атомов марганца
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1376–1378
13. Управление магнитными свойствами кремния с нанокластерами атомов марганца
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  139–141
14. Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1014–1016
15. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца [Mn]$_4$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1181–1184
16. Влияние электрического поля, освещенности и температуры на отрицательное магнетосопротивление кремния, легированного по методу “низкотемпературной диффузии”
    
    Письма в ЖТФ, 36:16 (2010),  11–18
17. Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1536–1539
18. Влияние плотности атомов диффузанта на коэффициент диффузии и концентрацию электроактивных атомов серы в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 18:4 (1992),  52–54
19. Определение профиля концентрации марганца и никеля, имплантированных в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1952–1956
20. Возбуждение рекомбинационных волн в кремнии, компенсированном марганцем при одноосной упругой деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1731–1736
21. Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных атомов и степень компенсации образцов Si$\langle\text{Zn}\rangle$
    
    Письма в ЖТФ, 17:12 (1991),  1–4
22. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2202–2203
23. Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная с рекомбинационными волнами
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1646–1650
24. Распад твердого раствора Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при всестороннем гидростатическом сжатии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  123–128
25. Влияние одноосного сжатия на ВАХ диодов из кремния с примесью марганца
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1710–1712
26. Некоторые особенности взаимодействия примесных центров с глубокими донорными уровнями в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1456–1459
27. Динамический хаос и гистерезис автоколебаний в Si$\langle$Mn$\rangle$, обусловленные температурно-электрической неустойчивостью
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1400–1403
28. Автоколебания тока в кремнии, легированном серой
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1315–1317
29. Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЭН в кремнии, легированном марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1561–1564
30. Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость в кремнии, легированном марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  423–426
31. Пьезо- и холл-эффекты в $p$-Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при одноосной упругой деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2052–2054
32. Низкочастотные колебания тока с большой амплитудой в компенсированном марганцем кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2220–2222
33. Влияние $\gamma$-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства компенсированного марганцем кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  973–976