Салихов Х М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1183–1186
2. Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1270–1275
3. Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары “светодиодная матрица–широкополосный фотодиод” среднего ИК диапазона (1.6–2.4 $\mu$m)
   
   ЖТФ, 80:2 (2010),  99–104
4. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd${-}p{-}p^{+}$-InP и изменение их в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1750–1754
5. Произведение $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1686–1690
6. Токи двойной инжекции и фототок в диодных структурах Pd${-}p{-}p^{+}{-}$InP
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1466–1468
7. Фотодетектор на основе InGaAs как детектор водорода
   
   Письма в ЖТФ, 17:15 (1991),  1–4
8. Поверхностно-барьерные структуры Au${-}p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1528–1529
9. О механизмах рекомбинации носителей тока в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  789–792
10. Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2195–2198
11. О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As, легированных Zn и Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  537–538
12. О механизмах рекомбинации в кристаллах арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  403–406