Закгейм Александр Львович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование предельных энергетических возможностей мощных ультрафиолетовых (370 nm) матричных излучателей: токовый и температурный факторы
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1172–1175
2. Фотолюминесценция квантовых точек PbS в матрице неорганического стекла при возбуждении светодиодами: спектры и квантовый выход
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1068–1070
3. Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  397–401
4. Ближнее поле излучения и эффект неоднородности распределения плотности тока в AlInGaN микросветодиодах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1236–1239
5. Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1502–1504
6. К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  42–52
7. Электротермооптические характеристики и предельные энергетические возможности мощных AlGaN-светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона ($\lambda\approx$ 270 nm)
   
   Письма в ЖТФ, 49:9 (2023),  17–20
8. Предельные энергетические возможности мощных AlInGaN-светодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  33–36
9. Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах
   
   Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  32–35
10. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
11. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
12. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
13. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  219–223
14. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
15. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
16. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  390–396
17. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95
18. Амплитудные флуктуации непрерывного АИГ: $Nd$-лазера со светодиодной накачкой
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1258–1263